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JFet JFET和MOSFET结构上的区别是什么
2021-07-06 08:32:56 来源:朵拉利品网

1, JFET和MOSFET结构上的区别是什么



(1)MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。
(2)MOSFET对于静电放电(ESD)的抵抗能力较差,因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。
(3)JFET一般是耗尽型的器件,而MOSFET可以有增强型器件。因此,在使用时,JFET的栅极只能外加反向电压,对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型,则输入电压信号较大时也能够正常工作。
(4)JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内,则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。

2, JFET和MOSFET的异同



JFET被用於小信号处理,而MOSFET主要用於线性或开关电源中
应用分类上讲JFET分为N沟和P沟,MOSFET则分4种N沟增强型、N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型,
从导电类型上MOSFET分垂直通道和横向通道,垂直通道又分VMOSFET、DMOSFET、UMOSFET
VMOSFET:(优点)导通阻抗较小,没有JFET效应,且
Cgd最小,有最快的开关响应速度。(缺点)V型底部尖
端,容易造成高电场的过度聚集而导致击穿,且沟槽蚀刻
过程不稳定会造成临界电压不稳。
DMOSFET:(优点)制程稳定简单,p-body和源极区可
利用相同的窗口扩散来获得,成本小。(缺点)导通阻抗
大,有JFET效应。且由于p-n界面转角处电力线集中,易
发生雪崩击穿。
UMOSFET:(优点)有效缩小了元件宽度,即增加元件
密度,提高单位面积的电流,使导通阻抗降低,不会产生
JFET效应。(缺点)制程复杂,成本大,正处于研究阶
段。

名词解释


MOSFET

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。 它依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型。

阻抗

阻抗(electrical impedance)是电路中电阻、电感、电容对交流电的阻碍作用的统称。阻抗的单位是欧。阻抗衡量流动于电路的交流电所遇到的阻碍。阻抗将电阻的概念加以延伸至交流电路领域,不仅描述电压与电流的相对振幅,也描述其相对相位。当通过电路的电流是直流电时,电阻与阻抗相等,电阻可以视为相位为零的阻抗。在振动系统中,阻抗也用Z表示,是一个复数,也是一个相量(Phasor),含有Magnitude和Phase/Polarity。由阻(Resistance)和抗(Reactance)组成。阻(resistance)是对能量的消耗,而抗(reactance)是对能量的保存。在振动系统中,由质量产生的抗,是质量抗(mass resistance),而由劲度(stiffness)产生的抗,是劲度抗(stiffness resistance)。

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