1, IGBT焊机和MOS管的区别
1、定义IGBT焊机:逆变过程需要大功率电子开关器件,采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体。IGBT焊机:MOS管:管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。IGBT焊机:将三相或单相工频交流电整流,经滤波后得到一个较平滑的直流电,由IGBT组成的逆变电路将该直流电变为几十KHZ的交流电,经主变压器降压后,再经整流滤波获得平稳的直流输出焊接电流。扩展资料:MOS管的主要参数:1、开启电压VT开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压:标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。2、直流输入电阻RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3、漏源击穿电压BVDS在VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS。参考资料来源:百度百科-mos管参考资料来源:百度百科-IGBT焊机
2, IGBT单管和MOS管的区别,MOSFET是MOS吗?
IGBT单管和MOS管的区别:1、从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型。2、从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题。3、从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。MOS就是MOSFET的简称首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。参考资料:搜狗百科——mos管
名词解释
GATE
Gate,英语单词,名词、动词,作名词时意为“大门;出入口;门道”,还可译为“人名;(英)盖特;(法、瑞典)加特”,作动词时意为“给…装大门”。
MOS
MOS是Certiport这个国际著名的从事计算机应用能力认证的专业机构与Microsoft总部共同推出的微软办公软件的实际运用能力的考核。
IGBT
IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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