igbt中的ⅤR什么参数 1700V的IGBT芯片英飞凌有哪些电流参数？

2019-07-13 03:09:08 来源：朵拉利品网

1, 1700V的IGBT芯片英飞凌有哪些电流参数？

1700V英飞凌IGBT芯片晶圆
SIGC68T170R3E 1700V 50A
IGC89T170S8RM 1700V 75A
SIGC101T170R3E 1700V 75A
IGC114T170S8RH 1700V 100A
IGC114T170S8RM 1700V 100A
SIGC128T170R3E 1700V 100A
IGC136T170S8RH2 1700V 117.5A
SIGC158T170R3E 1700V 125A
IGC168T170S8RH 1700V 150A
IGC168T170S8RM 1700V 150A
SIGC186T170R3E 1700V 150A

2, saber仿真中怎么对IGBT进行参数设置？

Saber下IGBT的通用模型主要有以下几个：
1.IGBT,No buffer Layer,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院（NIST），基于器件的物理模型，以它的主要研究者A.R.Hefner命名，可以比较准确的反应IGBT的电流电压以及充电特性.
2.IGBT Data Sheet Driven,Transistor
这是一个表征IGBT行为特征的模型，它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得，可以反应IGBT的静态特性，非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
3.IGBT Data Sheet Driven,Static thermal
这是一个表征IGBT行为特征的模型，它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得，可以反应IGBT的静态热特性，沟道调制效应，非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
4.Data Sheet Driven,Dynamic thermal
这是一个表征IGBT行为特征的模型，它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得，可以反应IGBT的动态热特性，沟道调制效应，非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
5.IGBT Buffer Self-Heat,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院（NIST），基于Henfer带缓冲层自加热模型，以它的主要研究者A.R.Hefner命名，可以比较准确的反应IGBT的电流、电压、充电以及动态热特性.
6.IGBT Buffer Layer,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院（NIST），基于Henfer带缓冲层模型，以它的主要研究者A.R.Hefner命名，可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.
7.Self-Heat,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院（NIST），基于Henfer模型，以它的主要研究者A.R.Hefner命名，可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.
每个模型所需参数要求不一，具体参数怎么设定可参照saber中对应IGBT说明，右键-view template。

相关概念

英飞凌

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2012财年（截止到2012年9月份），公司实现销售额39亿欧元。 2019年6月3日，英飞凌科技股份公司与赛普拉斯半导体公司公布签署最终协议，英飞凌会以每股23.85美元现金收购赛普拉斯，总企业价值为90亿欧元。

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