3n150场效应管代换 请问P75N03三极管有什么管可以代换

2019-07-13 03:06:55 来源：朵拉利品网

1, 请问P75N03三极管有什么管可以代换

P75N03属N沟道场效应管，参数估计在30V 75A ，导通电阻9毫欧，开启电压4V;
可以用废旧主板或电动车上用的一些场效应管代换。
如：
k80E08K3,75V 80A 200W ，电阻9毫欧，开启电压4V;
IRF4905 ,-55V , -64A;IRF1010NL,55V 84A ;IRF2807S ,75V 71A ;
IRF3205L 55V 110A ;
2SK3355-ZJ ,60V, 83A
70N03,75NF75，……等等

2, 菜鸟求教！！！场效应管CMP100N03能用场效应管HRF3205代换吗？...

理论上是没问题的，但两个MOS是有区别的， 100N03是100A 30V 4.5MΩ左右的管子，3205是110A 55V 8MΩ的管子，替代是没问题的，主要看怎么用。
场效应管是单极型三极管，IRF3205可用如下代替。
IRFK4J054 60V 150A
IRFK4J150 100V 137A
IRFK4J250 200V 108A
IRFK6H150 100V 150A
IRFK6H250 200V 140A
三极管分为单极型和双极性，单极型三极管也就是我们所说的场效应管，其工作时只有一种载流子参与导电，是一种电压控制电流原件；双极型三极管也就是我们所说的普通三级管，它工作时有空穴和自由电子参与导电，故称双极型三极管，是一种电流控制电流原件！这都是模拟电子基础知识，有兴趣你可以去学习一下晶体管的工作原理就清楚了。

3, Z44N场效应管可以什么 代换

能代换的有很多，比如IRF3205、3710、3805，不过与13007不同，它是高压三极管。
【补充】：
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107~1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
【举例】：VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A~100A）、输出功率高（1~250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
【参考资料】：

4, 95n03lt可以用什么代换

95n03lt可以用SUP75N03-07、TK80E08K3等代换。
95N03LT的完整型号是PHP95N03LT，它是一只N沟道大功率MOS场效应管，主要参数是：Vds=25V,Id=75A,Ptot=125W,Rds=7mΩ 。
SUP75N03-07的主要参数是：Vds=30V,Id=75A,Ptot=120W,Rds=7mΩ 。
TK80E08K3主要参数是：Vds=60V,Id=80A,Ptot=125W,Rds=4.8mΩ 。

5, 85N3L场效应管能用85T03代换吗

可以代换。
85N3L参数是：VDSS=30V、RDS(on)85T03参数是：VDSS=30V、RDS(on)=6m欧、ID=75A。
场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107~1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

相关概念

场效应管

场效应晶体管（Field EffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 -氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

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