晶体管图示仪电路图晶体管特性图示仪有哪几部分电路组成

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2020-06-25 02:22:46 来源：朵拉利品网

1, 晶体管特性图示仪有哪几部分电路组成

(1) 屏幕上光点位置的确定
根据晶体管的输入、输出特性可知，NPN 型管的电压 vCE 和电流 iC 均为正值，相应的特性曲线在第一象限。故测量 NPN 型晶体管前，屏幕上光点应调到屏幕的左下角。同时，基极阶梯信号和集电极扫描电压均选“+”极性。同理，测量 PNP 型管时，光点应调到屏幕的右上角，基极阶梯信号和集电极扫描电压均应选“-”极性。
2）主要旋钮的作用及选择
“功耗电阻”：图示仪中的功耗电阻相当于晶体管放大器中的集电极电阻，它串联在图1.2.5 输出特性曲线
被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间，用来调节流过晶体管的电流，从而限制被测管的功耗。测试小功率管时，一般选该电阻值为 1 kΩ 。
“基极阶梯信号”：这部分信号是图示仪中所特有的、不同于示波器的部分。通过它给基极加上周期性变化的电流信号。每两级阶梯信号之间的差值大小由“阶梯选择毫安/级”来选择。为方便起见，一般选 10μA /级。每个周期中阶梯信号的阶梯数由“级/簇”来选择，阶梯信号每簇的级数，实际上就是在图示仪上所能显示的输出特性曲线的根数。阶梯信号每一级的毫安值的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
零电压”、“零电流”：是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都必须使被测管的基极处于开路状态。这时就可以将该开关设置在“零电流”档（只有开路时，才能保证电流为零）。当测量晶体管的击穿电流 ICES 时，必须使被测管的基、射极短路，这可以通过将该开关设置在“零电压”档来实现。
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2, 晶体管图示仪

晶体管特性图示仪测试二极管漏电流限流电阻要根据电源电压、二极管击穿电压、二极管击穿电流等参数进行选择
电源电压U：晶体管特性图示加二极管限流电阻电源电压般三极管击穿电压120%~200%
二极管击穿电压URB：二极管击穿电压般要比二极管参数耐压要高20%左右
二极管击穿电流IRB：二极管击穿流二极管电流测量般选择击穿电流漏电流10倍（反向功耗URB*IRB能于二极管额定功耗1/2）
限流电阻R选择：R~(U-URB)/IRB
15SQ045例：
击穿电压URB：实际击穿电压55V左右同管所同
测量电源电压U选择：根据实际击穿电压选择测量电源电压100V
击穿电流IRB选择：击穿电流选择1~10mA选择2mA.
限流电阻R选择：R~(U-URB)/IRB=(100-55)/2=22.5kΩR选择10~50kΩ间均
实际测量测量电源电压U、限流电阻R选择范围测量电源电压选择100V、200V或更测量加二极管限流电阻电压慢慢调节加调节显示击穿电流合适停止加压

3, 晶体管特性图示仪测试二极管漏电流

把管脚E、C、B分别插入适当的插孔，同时选择正确的档位（包括三极管的类型、要测量的参数等等），这样就会在屏幕上会显示出相应的曲线图。
1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
2、晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。

名词解释

基极

基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。其中基极电流最小，发射极电流最大。在基极加一很小的电流，在集电极就能输出很大的电流，因此三极管有放大作用。

阶梯

阶梯，指台阶和梯子；比喻进身的凭借或途径。

集电极

英文解释　, 1、collector (a)共集电极电路(b)交流通路 2、【化】 collector 　　collector [electrode] 　　（collector）集电极符号为C.