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可控硅型号与参数表 常用可控硅主要参数
2020-05-25 10:18:38 来源:朵拉利品网

1, 常用可控硅主要参数



电流
1. 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
耐压
2. 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
触发电流
3. 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
额定正向平均电流
4.在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值

2, 可控硅的主要参数



优派克EUPEC T系列可控硅、D系列二极管、DxS系列快速二极管
东芝TOSHIBA SF系列可控硅、SG系列GTO
西门康SEMIKRON SKT系列可控硅,SKN、SKR系列二极管,SKNxF、SKRxF系列快速二极管
西码WESTCODE N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列快速二极管、SW系列普通二极管
美国IR ST系列可控硅、SD系列二极管
意大利POSEICO AT系列相控可控硅
瑞士ABB 5STP可控硅、5SDD二极管、5SGA系列GTO、5SDF快速二极管
北京瑞田达技贸有限责任公司

3, 常见的可控硅型号有哪些?



选用可控硅,选择、使用单向可控硅时要注意的主要参数有:
一、额定通态平均电流IT(AV)
在环境温度为 40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170&;#176;电角度时,可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
二、通态平均电压UT(AV)
在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值。
三、控制极触发电压UGT
在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。
四、控制极触发电流IGT
在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。
五、断态重复峰值电压UPFV
在控制极断开和正向阻断的条件下,阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。
六、反向重复峰值电压UPRV
在控制极断开的条件下,阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。
七、维持电压IH
在室温和控制极断路时,可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流,一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值,可控硅就不能继续保持导通而自行截止。 双向的参数需要吗?

名词解释


电压

电压(voltage),也称作电势差或电位差,是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。 其大小等于单位正电荷因受电场力作用从A点移动到B点所做的功,电压的方向规定为从高电位指向低电位的方向。电压的国际单位制为伏特(V,简称伏),常用的单位还有毫伏(mV)、微伏(μV)、千伏(kV)等。此概念与水位高低所造成的“水压”相似。需要指出的是,“电压”一词一般只用于电路当中,“电势差”和“电位差”则普遍应用于一切电现象当中。

可控硅

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。