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知识中心CVD工艺加热盘材料 CVD技术是什么？
2019-08-23 04:21:00
来源：朵拉利品网
1, CVD技术是什么？
CVD技术是化学气相沉积Chemical Vapor Deposition的缩写。化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。•简单来说就是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。•从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。CVD技术是原料气或蒸汽通过气相反应沉积出固态物质，因此把CVD技术用于无机合成和材料制备时具有以下特点：•（1）沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有固态基底（又称衬底）的形状包覆一层薄膜。•（2）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而改变从而获得梯度沉积物或得到混合镀层。•（3）采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。•（4）在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质，或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。•（5）CVD工艺是在较低压力和温度下进行的，不仅用来增密炭基材料，还可增强材料断裂强度和抗震性能是在较低压力和温度下进行的。•CVD技术根据反应类型或者压力可分为低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、亚常压CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、快热CVD(RTCVD)、金属有机物CVD(MOCVD)
2, 加热工艺？
随着科学技术的不断发展，工业工艺方面不断推陈出新，各大钢铁公司，纷纷对加热工艺进行深入研究与探讨。就此，北京东方德泰科技有限公司，提供先进的加热工艺设计服务，特推出最新加热工艺专题。010-658387181、达到行业领先水平的蓄热式加热炉加热工艺科研人员为了研究出一套更加科学的加热工艺方案，系统研究了加热炉供热制度及温度制度对轨梁厂950轧线加热炉重点生产品种的加热质量影响，实测了铸坯在炉加热时候的升温曲线，建立了加热炉铸坯过程加热数学模型，采用加热炉数学模型模拟计算及工业试验相结合的方法，研究了蓄热燃烧加热炉的铸坯加热工艺制度，并优化和完善了加热炉供热制度和温度制度，编制了蓄热燃烧加热炉铸坯加热操作技术规程和待轧降温技术规程，并在加热炉工艺制度优化的基础上，将加热炉合理的工艺运行参数设定到炉子的一级控制系统中去，有效地提高了加热炉的热利用率及生产稳定性。2、内花键管状零件感应加热工艺一种内花键管状零件感应加热的工艺。其过程描述如下：（1）首先将零件手动放在感应加热机床的下顶尖上，（2）将工件夹紧，（3）工件旋转，（4）启动中频电源加热，（5）加热延时，（6）停止加热，（7）将工件松开，（8）转送到下道工序进行喷涂。其结构简单，加热效率高，加热区温度均匀；具有加热速度快、投资少、容易实现生产的自动化。3、加热工艺的发展以及所存在的问题(1)加热工艺的污染问题 机器污染继续给回焊炉造成极大问题。焊锡膏中挥发性物质会在炉内较冷的表面重新凝结而污染机器，在带有内部冷却区的空气受控炉内，这个问题更加严重。通过抽风系统去除这些挥发物在这里是不可以用的，因为要满足将炉内气体消耗量减至最少的需要。(2)加热工艺的冷却问题 在自然空气条件下工作的回流焊炉利用周围的空气作为冷却媒介，这样能以较低的成本使用大量的气体，并有效地使板子冷却。在惰性气体环境下，冷却过程必须在一个受控的环境下执行，因此情况是非常不同的。必须要从系统中排出热，通常采用热交换器，利用气体或液体作为热交换媒介，冷却的气流还要在炉内循环，以减少惰性气体（一般用氮气）的总体消耗。 延长式冷却组件可使PCB离开炉子时的温度通常在35℃到50℃，这样可使板子无需缓冲就可直接进入下道工序，而且还允许PCB经过后续的焊接工艺而不会损害到可焊性保护层，这对于印刷线路板的可焊性是用OSP而不是热风整平方式进行保护时尤其重要。 (3)加热工艺设备的使用和优化 组装成本正成为制造商们最为关心的一件事，由于生产场地都非常宝贵，有效利用场地空间正在逐渐成为一个重要的问题。一般来讲，为达到高产量而加快生产线的速度会需要一个加热区较长的回焊炉，采用双轨道工艺，就是有两个较小但可以充分调节的传送带在炉内运行，可以很有效地增加产量而不用增大炉子的占地面积。近年来，业界不断地在环保以及节能等方面提出要求，也在激励我们进一步地努力研究。
3, CVD是运用的什么技术？
CVD技术是原料气或蒸汽通过气相反应沉积出固态物质，因此把CVD技术用于无机合成和材料制备时具有以下特点：•（1）沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有固态基底（又称衬底）的形状包覆一层薄膜。•（2）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而改变从而获得梯度沉积物或得到混合镀层。•（3）采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。•（4）在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质，或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。•（5）CVD工艺是在较低压力和温度下进行的，不仅用来增密炭基材料，还可增强材料断裂强度和抗震性能是在较低压力和温度下进行的。•CVD技术根据反应类型或者压力可分为低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、亚常压CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、快热CVD(RTCVD)、金属有机物CVD(MOCVD)
4, 请问CVD（化学气相沉积）的原理及应用？
化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。原理化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上阐述化学反应并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：(1)形成挥发性物质 ；(2)把上述物质转移至沉积区域 ；(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质 。最基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。 [1] 特点1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。2）可以在常压或者真空条件下（负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。3）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
相关概念
CVD
CVD，即脑血管疾病（cerebrovascular disease），是发生在脑部血管，因颅内血液循环障碍而造成脑组织损害的一组疾病。人们生活中所讲的“脑血管意外”、“卒中”和“中风”都属于脑血管疾病。该疾病临床上以急性发病居多，多为中、老年患者，表现为半身不遂、言语障碍等。急性脑血管病一般分为缺血性和出血性两类。
基底
jīdǐ〖plinth〗∶基础的最下部分〖floor〗∶未固结或成层的沉积物之下的岩石〖substrate〗∶在其上粘附一种材料（如油漆或薄箔）的基础表面
沉积物
沉积物：地质学专业术语，（Sediment）为任何可以由流体流动所移动的微粒，并最终成为在水或其他液体底下的一层固体微粒。沉积作用（Sedimentation）即为混悬剂（suspendedmaterial）的沉降过程（Settling）。
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